|
Fabrikant: |
NXP |
| Productcategorie: | RF MOSFET Transistors |
|
Technology: |
GaN Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
|
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
|
Gain: |
14.1 dB |
|
Output Power: |
18 W |
|
Minimale bedrijfstemperatuur: |
– 55 C |
|
Maximale bedrijfstemperatuur: |
+ 150 C |
|
Montagestijl: |
SMD/SMT |
|
Verpakking/hoes: |
DFN-10 |
|
Verpakking: |
Haspel |
|
Verpakking: |
Snijband |
| Merk: | NXP-halfgeleiders |
| Aantal kanalen: | 2 Kanaal |
| Type product: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35H120N |
| Hoeveelheid fabrieksverpakking: | 2000 |
| Subcategorie: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Deel # Aliassen: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Producteigenschappen
|
Fabrikant: |
NXP |
|
Verpakking/hoes: |
DFN-10 |
| Aantal kanalen: | 2 Kanaal |
| Type product: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35H120N |
NL 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.